最新伦理电影 瑶芯碳化硅功率MOSFET AK1CK2M040WAM

发布日期:2024-07-22 10:04    点击次数:190

最新伦理电影 瑶芯碳化硅功率MOSFET AK1CK2M040WAM

跟着各人电动汽车(EV)市集的飞快延迟最新伦理电影,车载充电器(OBC)四肢连络电动汽车与电网的要害组件,其销售额也在飞快增长,2024年第一季度装机量达到了170.12万套,同比增长42.68%。

信誉约炮

车载充电器不错获胜从电源插座给与电力,为电动汽车提供方便的充电神情,比较于车外充电器,OBC因尺寸和本钱等扫尾,对扫尾和可靠性的条款更高。当今,市集上的OBC大多选择两级式结构,该结构中的功率调遣扫尾和可靠性在很猛进程上依赖于所使用的MOSFET性能。

现存车载充电器MOSFET的局限性最新伦理电影

在OBC的愚弄中,MOSFET的选型至关重要,因为它们获胜决定了充电器的扫尾、体积和可靠性。当今使用中的MOSFET器件主要靠近的问题包括高导通电阻和寄生电容问题。高导通电阻会导致导通损耗加多,这不仅会影响建造的扫尾,也会在建造开动经过中产生独特的热量,对建造的性能和寿命产生负面影响。关于硬开关愚弄(如Boost PFC),寄生电容过高可能会在开关调遣经过中产生过高的应力,这会影响系统的可靠性。要是处理不当,这种震憾可能导致系统失稳,从而影响建造的性能和寿命。此外,一般情况下,内阻越低的MOSFET,其寄生电容CGD越大,这关于谈论师来说是一个难以均衡的方程,需要在缩小损耗和提高踏实性之间找到最好点。

科罚决策

AK1CK2M040WAM-A MOSFET,sex8可闲居愚弄于车载充电器

面对这些挑战,瑶芯推出的AK1CK2M040WAM-A碳化硅功率MOSFET以其不凡性能提供了灵验的科罚决策。这款MOSFET在漏源之间最大耐压值可达1200V,足以欣喜OBC的愚弄需求。同期还有着较低的导通电阻,栅-源戒指电压为15V时——导通电阻仅有40mΩ,这显耀缩小了导通损耗和开关损耗,从而提高了OBC的全体扫尾。更低的损耗意味着更少的热量产生,进而减少散热需求,使得车载充电器不错谈论得愈加紧凑,使产物愈加便携。

图2 动态特质

它的寄生电容CGD为6.5pF,相对较小,在开关经过中,栅极和漏极之间的电荷交换较少,有助于减少米勒平台的合手续技术,从而加速开关速率。此外,还具有低反向复原电荷(QRR=133nC),这进一步进步了其在高频愚弄中的推崇,确保OBC在快速充电经过中的踏实开动。

从本钱效益的角度来看,AK1CK2M040WAM-A不仅提高了OBC的性能最新伦理电影,还通过降粗劣量损耗和优化系统谈论,为电动汽车制造商提供了更具竞争力的科罚决策。这款MOSFET的高扫尾和可靠性,使其成为电动汽车车载充电器谈论的理思取舍,有助于激动更闲居的电动汽车愚弄和市集领受度。

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